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Darlington-Transistor

Wie zwei Transistoren als Darlington-Paar eine Stromverstärkung von über 1000 erreichen, welchen Preis Sättigungsspannung und Tempo kosten und wann ein MOSFET besser ist.

7 Min. LesezeitDarlington-TransistorDarlington-SchaltungDarlingtonSziklai

Ein Motor soll 3 A ziehen, gesteuert von einem Arduino-Pin, der nur ein paar Milliampere liefern darf. Ein gewöhnlicher Leistungstransistor mit einer Stromverstärkung von 20 bis 50 bräuchte über 100 mA Basisstrom – unmöglich direkt aus dem Pin. Die klassische Lösung aus der Zeit vor dem MOSFET: zwei Transistoren hintereinander, der erste steuert den zweiten. Diese Darlington-Schaltung, 1952 von Sidney Darlington bei den Bell Labs erdacht, verhält sich wie ein einzelner Transistor mit riesiger Stromverstärkung. Als fertiges Bauteil mit drei Anschlüssen heißt sie Darlington-Transistor; du findest ihn in Motortreibern, Relaistreibern wie dem ULN2003 und in vielen älteren Netzteilen.

Aufbau und Funktionsweise

Zwei NPN-Transistoren werden so verbunden:

  • Die Kollektoren beider Transistoren sind verbunden und bilden den gemeinsamen Kollektor C.
  • Der Emitter des ersten Transistors (T1, Treiber) speist direkt die Basis des zweiten (T2, Leistungstransistor).
  • Die Basis von T1 ist der Steuereingang B, der Emitter von T2 der Ausgang E.

Der kleine Basisstrom von T1 wird von T1 verstärkt; dessen Emitterstrom ist der Basisstrom von T2, den T2 noch einmal verstärkt. Die Stromverstärkungen multiplizieren sich:

Bges = B1 · B2 + B1 + B2 ≈ B1 · B2

Fertige Darlington-Transistoren enthalten meist noch mehr als die beiden Transistoren. Zwei Widerstände überbrücken die Basis-Emitter-Strecken: R1 (bei TIP120 etwa 8 kΩ) über T1 und R2 (etwa 120 Ω) über T2. Sie leiten Leckströme ab, damit der Transistor bei offenem Eingang und hoher Temperatur sicher sperrt, und beschleunigen das Abschalten. Dazu kommt bei vielen Leistungstypen eine Diode zwischen Emitter und Kollektor in Sperrrichtung, die bei induktiven Lasten negative Spannungen am Kollektor abfängt.

Innenschaltung eines NPN-Darlington-Transistors: T1 treibt T2, R1 und R2 überbrücken die Basis-Emitter-Strecken, Diode von E nach C
Innenleben eines Leistungs-Darlingtons wie TIP120: zwei Transistoren, zwei Widerstände, eine Schutzdiode.

Die Nachteile

Der hohen Verstärkung stehen drei Schwächen gegenüber:

  1. Hohe Eingangsschwelle: Zwischen Basis und Emitter liegen zwei pn-Übergänge in Reihe, also rund 1,2 bis 1,4 V statt 0,7 V; bei großem Strom laut Datenblatt bis 2,5 V.
  2. Hohe Restspannung: T2 kann nicht tiefer sättigen, als T1 es zulässt. Seine Kollektor-Emitter-Spannung ist mindestens UCE(sat),1 + UBE,2, in der Praxis 0,9 bis 2 V. Bei großem Strom wird daraus viel Wärme.
  3. Langsam: T2 wird nur über R2 und T1 ausgeräumt; die Schaltzeiten liegen im Mikrosekundenbereich. Für PWM bis einige Kilohertz geht das, für Schaltregler nicht.

Mehr zu Sättigung und Speicherzeit findest du unter Übersteuerung und Sättigung.

Schaltzeichen

Ein eigenes genormtes Schaltzeichen gibt es nicht. Meist zeichnet man die beiden Transistoren in einen gemeinsamen Kreis oder Rahmen; manche Bibliotheken verwenden auch das normale Transistorsymbol mit dem Vermerk „Darlington“. Wichtig ist, dass der Plan die drei Anschlüsse B, C und E eindeutig zeigt. Allgemeines zu Symbolen steht unter Schaltzeichen.

Sziklai-Paar: der Komplementär-Darlington

Eine Variante kombiniert einen PNP und einen NPN: Der Kollektor des PNP-Treibers speist die Basis des NPN-Leistungstransistors. Dieses Sziklai-Paar verhält sich wie ein PNP mit hoher Verstärkung, braucht aber nur eine Basis-Emitter-Spannung von etwa 0,7 V. Es findet sich vor allem in Audio-Endstufen, wo es die Temperaturstabilisierung erleichtert. Die Grundlagen zum PNP stehen unter PNP-Transistor.

Darlington aus zwei NPN mit 1,2 bis 1,4 V Basis-Emitter-Spannung neben Sziklai-Paar aus PNP und NPN mit 0,7 V
Darlington (links) und Sziklai-Paar (rechts): gleiche Idee, unterschiedliche Eingangsspannung.

Typen und Kennwerte

TypGehäuseUCEOIChFE (min.)UCE(sat) (max.)
BC517TO-9230 V0,4–1 A je nach Hersteller30 000 bei 20 mA1,0 V bei 100 mA
BD679TO-12680 V4 A750 bei 1,5 A2,5 V bei 1,5 A
TIP120 / TIP122TO-22060 / 100 V5 A1000 bei 3 A2,0 V bei 3 A
TIP125 / TIP127 (PNP)TO-220−60 / −100 V−5 A1000 bei 3 A2,0 V bei 3 A
ULN2003ADIP-16 / SO-1650 V0,5 A je Kanal–rund 1 V bei 200 mA
Darlington-Transistoren in TO-92, TO-220 und TO-126
Von außen sieht man den Darlington nicht an: BC517 im TO-92, TIP120 im TO-220, BD679 im TO-126.

Der ULN2003A verdient eine besondere Erwähnung: Er enthält sieben Darlington-Stufen mit offenen Kollektoren, jeweils mit einem 2,7-kΩ-Basiswiderstand für 5-V-Logik und Freilaufdioden zu einem gemeinsamen Anschluss (COM). Für Schrittmotoren, Relaisbänke und LED-Anzeigen ist er seit Jahrzehnten der Standard; der ULN2803A hat acht Kanäle. Viele Kanäle gleichzeitig zu belasten begrenzt allerdings die Wärme des Gehäuses.

Durchgerechnet: Motor mit TIP120

Zum Vergleich: Ein Logic-Level-MOSFET wie der IRLZ44N hat bei 5 V Gate-Spannung höchstens 25 mΩ. Er setzt bei 3 A nur (3 A)2 · 0,025 Ω ≈ 0,23 W um – ein Sechsundzwanzigstel – und braucht keinen Kühlkörper. Nachrechnen kannst du das mit dem Rechner MOSFET-Verluste; die Grundlagen stehen unter Wärme und Kühlung.

Anwendungen

  • Relais- und Motortreiber mit kleinem Steuerstrom, vor allem als Array (ULN2003, ULN2803).
  • Emitterfolger mit hohem Eingangswiderstand: Weil der Eingangswiderstand mit der Stromverstärkung wächst, belastet ein Darlington-Emitterfolger eine hochohmige Quelle kaum – etwa bei Sensoren oder als Längstransistor in einfachen Netzteilen mit Referenz aus einer Z-Diode.
  • Berührungsschalter: Mit einem BC517 genügt der winzige Strom über die Haut, um eine LED einzuschalten – ein beliebtes Einsteigerexperiment.
  • Lichtschranken: Foto-Darlingtons kombinieren einen Fototransistor mit einem nachgeschalteten Transistor für hohe Empfindlichkeit.

Auswahl und Praxistipps

  • Restspannung einplanen: Mit 1 bis 2 V Verlust am Darlington bekommt ein 5-V-Verbraucher nur noch 3 bis 4 V. Für niedrige Versorgungsspannungen ist das oft zu viel.
  • Wärme rechnen, immer mit dem höchsten UCE(sat) aus dem Datenblatt.
  • Basiswiderstand trotzdem nötig: Die hohe Verstärkung verleitet dazu, ihn wegzulassen. Ohne ihn fließt durch die Basis-Emitter-Strecke ein unbegrenzter Strom.
  • Freilaufdiode bei induktiven Lasten: Die eingebaute Diode zwischen E und C schützt nicht vor der positiven Abschaltspitze. Beim ULN2003 musst du COM an die Lastversorgung anschließen, sonst wirken seine Freilaufdioden nicht.
  • Für Neuentwicklungen mit mehr als etwa 1 A ist ein MOSFET fast immer kühler, schneller und einfacher anzusteuern. Der Darlington bleibt sinnvoll, wenn ein Steuerstrom von Mikroampere reichen muss oder robuste, günstige Arrays gefragt sind.

Selbsttest

Wie groß ist die Stromverstärkung eines Darlingtons aus zwei Transistoren mit B1 = 150 und B2 = 40?

Etwa 150 · 40 = 6000 (genau 6000 + 150 + 40 = 6190).

Warum liegt die Basis-Emitter-Spannung eines Darlingtons bei etwa 1,2 bis 1,4 V?

Zwischen Basis und Emitter liegen zwei Basis-Emitter-Übergänge in Reihe, je etwa 0,6 bis 0,7 V.

Warum kann ein Darlington nicht so tief sättigen wie ein Einzeltransistor?

Der Leistungstransistor bekommt seinen Basisstrom vom Emitter des Treibers; seine Kollektor-Emitter-Spannung kann nicht unter die eigene Basis-Emitter-Spannung plus die Sättigungsspannung des Treibers sinken.

Ein Darlington schaltet 2 A bei UCE(sat) = 1,5 V. Wie viel Wärme entsteht?

P = 1,5 V · 2 A = 3 W – ohne Kühlkörper zu viel für ein TO-220.

Was unterscheidet ein Sziklai-Paar vom Darlington?

Es kombiniert einen PNP-Treiber mit einem NPN-Leistungstransistor und braucht am Eingang nur eine Basis-Emitter-Spannung von etwa 0,7 V.